Si (100)面構造最適化 strevl_Si100
ソフトウェア > ナノテクノロジー > 第一原理電子状態解析 > PHASE > PHASE公開版リビジョン66+α概要 広くしられているように、Si(001)面のダイマーはバックリングすることによって安定化する。このような構造が構造最適化によって得られることを報告する。初期の原子配置は以下に示すようなものを採用する。 実行環境 CP [全文を読む]
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概要 広くしられているように、Si(001)面のダイマーはバックリングすることによって安定化する。このような構造が構造最適化によって得られることを報告する。初期の原子配置は以下に示すようなものを採用する。 実行環境 CP [全文を読む]
概要 Si (100)面構造最適化においておこなった構造最適化の結果得られた座標データを利用して、STM像の計算を行う。フェルミエネルギーからみて±1Vのバイアス電圧に相当するSTM像を可視化する。ただし、 [全文を読む]
概要 ルチル型TiO2結晶を、AtomWorksから取得したCIFデータをもとに構造最適化計算を行った例を報告する。 利用機能: 構造最適化 実行環境 CPU: Intel Xeon X5660 2.80G [全文を読む]
概要 FCC Al結晶の格子振動解析を行う。 計算条件 項目 説明 計算タイプ 1回の計算 並列数 k点2並列 系の種類 金属 周期性 3次元 組成 Al 4個 格子定数 a = 4.05 Å ブラベー格子 [全文を読む]
概要 「BaO-Si001界面の構造最適化」において実行する構造最適化の結果をもとに、BaO-Si001界面の局所的な電子状態を解析する。界面構造を理解するために有用な層分割局所状態密度の計算を実行する。 利用機能 状態 [全文を読む]
概要 シリコン表面の状態密度を解析する。局所状態密度も計算し、表面付近の原子の状態密度変化を調べる。利用する初期構造は、4.3で得られる最適化された以下の構造である。 利用機能: 状態密度 局所状態密度 計 [全文を読む]
概要 半導体ドーピングの影響を解析する例として、Si結晶にAlをドープした系の状態密度の計算を行う。ただし、本解析では構造最適化は行わない。 半導体ドーピングの影響を解析する例として、Si結晶にAlをドープ [全文を読む]
概要 半導体ドーピングの影響を解析する例として、Si結晶にPをドープした系の状態密度の計算を行う。ただし、本解析では構造最適化は行わない。採用する原子 配置は、シリコン原子のブラベー格子から3×3× [全文を読む]
概要 Siに空孔を導入し、局所状態密度の計算を行う。ただし構造最適化は行わない。採用する原子配置は、シリコン原子のブラベー格子から2×2×2のスーパーセルを作成し、原子を1つ抜いた下図のようなもの [全文を読む]