計算工学ナビ

概要 「BaO-Si001界面の構造最適化」において実行する構造最適化の結果をもとに、BaO-Si001界面の局所的な電子状態を解析する。界面構造を理解するために有用な層分割局所状態密度の計算を実行する。 利用機能 状態 [全文を読む]

概要 シリコン表面の状態密度を解析する。局所状態密度も計算し、表面付近の原子の状態密度変化を調べる。利用する初期構造は、4.3で得られる最適化された以下の構造である。   利用機能: 状態密度 局所状態密度 計 [全文を読む]

概要 半導体ドーピングの影響を解析する例として、Si結晶にAlをドープした系の状態密度の計算を行う。ただし、本解析では構造最適化は行わない。   半導体ドーピングの影響を解析する例として、Si結晶にAlをドープ [全文を読む]

概要 半導体ドーピングの影響を解析する例として、Si結晶にPをドープした系の状態密度の計算を行う。ただし、本解析では構造最適化は行わない。採用する原子 配置は、シリコン原子のブラベー格子から3×3&times [全文を読む]

概要 Siに空孔を導入し、局所状態密度の計算を行う。ただし構造最適化は行わない。採用する原子配置は、シリコン原子のブラベー格子から2×2×2のスーパーセルを作成し、原子を1つ抜いた下図のようなもの [全文を読む]